隨著高精度、高穩(wěn)定的電機(jī)轉(zhuǎn)速控制系統(tǒng)的發(fā)展，作為系統(tǒng)速度反饋元件的檢測元件也在不斷更新。在電機(jī)轉(zhuǎn)速控制系統(tǒng)中，轉(zhuǎn)速反饋的脈沖數(shù)愈多，系統(tǒng)f/v變換器的分辨率也愈高，電機(jī)轉(zhuǎn)速的控制精度也越高。目前，檢測電機(jī)轉(zhuǎn)速的檢測元件有三種，一種是常用的頻率發(fā)生器(fg)，但由于制造其矩形波繞組，間距太小，受到限制，它提供的正比于電機(jī)轉(zhuǎn)速的反饋信號(hào)頻率也會(huì)有一定限制。另一種是光電編碼器，它檢測的輸出量是數(shù)字量，并能提供較多的脈沖數(shù)，因而分辨率高，但由于結(jié)構(gòu)復(fù)雜，光碼盤制造精度高，且對(duì)使用環(huán)境條件的要求及長期運(yùn)行時(shí)的維護(hù)，都使它的應(yīng)用受到了限制。第三種是磁變阻傳感器，簡稱mr傳感器。mr傳感器采用了磁變阻元件，簡稱mr元件，這種元件的電阻值隨磁場的變化而變化，故稱磁變阻mr元件。它的****特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單，制造方便，適于小型輕量化，不受環(huán)境條件的影響，耐振耐沖擊，工作可靠，無需維修，壽命長，價(jià)格低廉。mr傳感器的輸出波形與磁場波形相同．且其頻率為磁場波形的2倍，即頻率倍增，同時(shí)，其結(jié)構(gòu)與電機(jī)易于結(jié)合，有利于簡化電機(jī)結(jié)構(gòu)，減小電機(jī)昀體積。本文介紹mr傳感器的特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)及其基本工作原理。

    圖1表示mr傳感器由磁轉(zhuǎn)子和mr元件兩個(gè)主要部分組成。

  

    磁轉(zhuǎn)子是由永磁材料制成的扁平圓環(huán)體。在圓環(huán)體的外表面有ns多對(duì)極，極對(duì)數(shù)一般在120對(duì)以上。

    永磁圓環(huán)體多采用塑磁注射成形，并成形在電工鋼板制成的轉(zhuǎn)子架上，成形方便，造價(jià)低廉。

    根據(jù)使用材質(zhì)的不同分為兩種形式．一種是由銻化銦(lnsb)或砷化鎵(gaas)等半導(dǎo)體材料制成．稱為半導(dǎo)體mr元件。另一種是由鎳鐵(nife)或鎳鈷(nico)系等強(qiáng)磁性材料制成，稱為強(qiáng)磁性mr元件。前者磁敏度低，后者磁敏度高，其中尤以nife系強(qiáng)磁性mr元件的磁敏度****，可在場強(qiáng)4ka/m以下場合使用，應(yīng)用****泛。

    

    圖2為mr元件的磁場與磁化示意圖。mr元件的磁分子電流在外磁場h下磁化方向當(dāng)mr元件中流過電流i與磁化的方向夾角為咿，則mr元件的電阻值由下式表示：

    很明顯，當(dāng)飽和磁化方向與電流方向平行時(shí)，θ=0度，電阻****。當(dāng)飽和磁化方向與電流方向垂直時(shí)，θ=90度，電阻最小。

有

              

    由式(3)作曲線，得圖3，即mr元件中電阻變化率隨磁場變化的關(guān)系曲線。該曲線是近似一條倒過未的正態(tài)分布曲線。無論磁場增加或減少，其電阻變化率隨磁場變化是一致的。圖3所示是nife系mr元件的電阻變化率隨磁場變化的曲線，其變化率****為百分之3。

  

    圖4所示為mr元件在頻率為ω∞、的正弦波磁場作用下而得到的輸出特性。由圖可知，其輸出也為正弦波信號(hào)，且其頻率倍增，即2ω。

   

    由于電阻變化率隨磁場變化曲線并馬}線性，因此即使在正弦波輸入磁場作用下，其輸出實(shí)際上并非正弦波，而含有高次諧波。

  通常mr元件由兩個(gè)mr元素反接串聯(lián)組成三端子線路（參見圖5a、b）。這種結(jié)構(gòu)稱為單組三端子接線。這時(shí)有：